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首页 全部分类 IXTY08N50D2 vs RDD023N50TL

IXTY08N50D2备选型号: RDD023N50TL

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  • 引脚数量
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  • 配置
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 场效应管特性
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 操作模式
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • IXYS
    IXTY08N50D2
    IXYS
    MOSFET N-CH 500V 800MA DPAK
    19 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    800mA Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2009
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    Tin (Sn)
    SINGLE
    鸥翼
    4
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    60W
    DRAIN
    N-Channel
    AMPLIFIER
    4.6 Ω @ 400mA, 0V
    312pF @ 25V
    12.7nC @ 5V
    500V
    ±20V
    800mA
    耗尽模式
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ROHM Semiconductor
    RDD023N50TL
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 500V 2A CPT3
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    SILICON
    2A Tc
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2013
    -
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    2
    -
    SINGLE
    鸥翼
    -
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    -
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    5.4 Ω @ 1A, 10V
    151pF @ 25V
    11nC @ 10V
    500V
    ±20V
    2A
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    未说明
    not_compliant
    未说明
    增强型MOSFET
    2V @ 1mA
    2A
    5.5Ohm
    8A
    500V
    21 mJ
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图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
RDD023N50TL RDD023N50TL ROHM Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH 500V 2A CPT3 对比
RDD022N50TL RDD022N50TL ROHM Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH 500V CPT 对比