ROHM Semiconductor RDD022N50TL

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

20W Tc

Turn Off Delay Time

24 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2013

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

12 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

5.4 Ω @ 1A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.7V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

168pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

6.7nC @ 10V

上升时间

17ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

48 ns

连续放电电流(ID)

2A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2A

漏源击穿电压

500V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

6A

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅