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首页 全部分类 IXTY2R4N50P vs IPD50R1K4CEAUMA1

IXTY2R4N50P备选型号: IPD50R1K4CEAUMA1

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  • 终止次数
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • JESD-609代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • Reach合规守则
  • 接通延迟时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • IXYS
    IXTY2R4N50P
    IXYS
    MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    2.4A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    PolarHV™
    2006
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    雪崩 额定
    500V
    鸥翼
    未说明
    2A
    未说明
    4
    R-PSSO-G2
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    55W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    3.75 Ω @ 500mA, 10V
    5.5V @ 25μA
    240pF @ 25V
    6.1nC @ 10V
    29ns
    ±30V
    28 ns
    2.4A
    TO-252AA
    30V
    500V
    4.5A
    100 mJ
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD50R1K4CEAUMA1
    Infineon Technologies
    On a Reel of 2500, N-Channel MOSFET, 3.1 A, 550 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD50R1K4CEBTMA1
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    -
    3.1A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™ CE
    2008
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    25W
    -
    N-Channel
    -
    1.4 Ω @ 900mA, 13V
    3.5V @ 70μA
    178pF @ 100V
    8.2nC @ 10V
    6ns
    ±20V
    30 ns
    3.1A
    -
    30V
    550V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    e3
    EAR99
    Tin (Sn)
    not_compliant
    6.5 ns
    500V
    2.41mm
    6.73mm
    6.22mm
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