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首页 全部分类 IXTY32P05T vs IPD26N06S2L35ATMA2

IXTY32P05T备选型号: IPD26N06S2L35ATMA2

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  • ECCN 代码
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  • 端子位置
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  • Reach合规守则
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 参考标准
  • 最大双电源电压
  • 无铅
  • IXYS
    IXTY32P05T
    IXYS
    MOSFET P-CH 50V 32A TO-252
    24 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    SILICON
    32A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    TrenchP™
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    雪崩 额定
    SINGLE
    鸥翼
    unknown
    4
    R-PSSO-G2
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    P-Channel
    SWITCHING
    39m Ω @ 16A, 10V
    4.5V @ 250μA
    1975pF @ 25V
    46nC @ 10V
    50V
    ±15V
    32A
    0.039Ohm
    110A
    50V
    200 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD26N06S2L35ATMA2
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-252
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    SILICON
    68W Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2006
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    超低电阻
    SINGLE
    鸥翼
    not_compliant
    -
    R-PSSO-G2
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    -
    35m Ω @ 13A, 10V
    2V @ 26μA
    621pF @ 25V
    24nC @ 10V
    -
    ±20V
    30A
    0.047Ohm
    120A
    -
    80 mJ
    ROHS3 Compliant
    3
    e3
    Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    AEC-Q101
    55V
    含铅
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