IXTY8N65X2备选型号: IPD65R420CFDATMA1
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- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
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- 栅极至源极电压(Vgs)
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- MOSFET N-CH 650V 8A X2 TO-25215 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-638A Tc-55°C~150°C TJTube2015活跃1 (Unlimited)EAR99未说明not_compliant未说明N-Channel500m Ω @ 4A, 10V5V @ 250μA800pF @ 25V12nC @ 10V650V±30V8AROHS3 Compliant--------------
- Trans MOSFET N-CH 650V 8.7A 3-Pin TO-252 T/R18 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-638.7A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2008活跃1 (Unlimited)----N-Channel420mOhm @ 3.4A, 10V4.5V @ 300μA870pF @ 100V31.5nC @ 10V650V±20V8.7AROHS3 Compliant3PG-TO252-3CoolMOS™150°C-55°C83.3W10 ns7ns8 ns20V650V870pF420 mΩ无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPD60R385CPATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 600V 9A TO-252 | 对比 |
![]() | IPD65R420CFDATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 650V 8.7A 3-Pin TO-252 T/R | 对比 |
| TK9P65W,RQ | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 650V 9.3A DPAK | 对比 |




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