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IXTY8N65X2备选型号: TK9P65W,RQ

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包装/外壳
操作温度
包装
已出版
零件状态
湿度敏感性等级(MSL)
ECCN 代码
峰值回流焊温度（摄氏度）
Reach合规守则
时间@峰值回流温度-最大值(s)
场效应管类型
Rds On(Max)@Id,Vgs
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
漏源电压 (Vdss)
Vgs（最大值）
连续放电电流(ID)
RoHS状态
系列

IXTY8N65X2

IXYS

MOSFET N-CH 650V 8A X2 TO-252

15 Weeks
表面贴装
表面贴装
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
8A Tc
-55°C~150°C TJ
Tube
2015
活跃
1 (Unlimited)
EAR99
未说明
not_compliant
未说明
N-Channel
500m Ω @ 4A, 10V
5V @ 250μA
800pF @ 25V
12nC @ 10V
650V
±30V
8A
ROHS3 Compliant
-
TK9P65W,RQ

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N-CH 650V 9.3A DPAK

16 Weeks
表面贴装
表面贴装
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
9.3A Ta
150°C TJ
Cut Tape (CT)
2015
Discontinued
1 (Unlimited)
-
-
-
-
N-Channel
560m Ω @ 4.6A, 10V
3.5V @ 350μA
700pF @ 300V
20nC @ 10V
650V
±30V
9.3A
符合RoHS标准
DTMOSIV
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