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首页 全部分类 IXXH100N60C3 vs FGY75N60SMD

IXXH100N60C3备选型号: FGY75N60SMD

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 生命周期状态
  • 引脚数
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  • 无铅代码
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  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • HTS代码
  • 元素配置
  • 功率 - 最大
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  • 最大下降时间 (tf)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • IXYS
    IXXH100N60C3
    IXYS
    IGBT Transistors XPT IGBT C3-Class 600V/190Amp
    28 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    6.500007g
    SILICON
    600V
    2.2V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    GenX3™, XPT™
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    830W
    SINGLE
    IXX*N60
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    SINGLE
    830W
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    2.2V
    190A
    TO-247AD
    95 ns
    2.2V @ 15V, 70A
    220 ns
    PT
    150nC
    380A
    30ns/90ns
    2mJ (on), 950μJ (off)
    20V
    5.5V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FGY75N60SMD
    ON Semiconductor
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGY75N60SMDIGBT Single Transistor, 150 A, 1.9 V, 750 W, 600 V, Power 247, 3 Pins
    6 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3 Variant
    7.629g
    SILICON
    600V
    1.9V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    -
    2010
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    750W
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    150A
    -
    76 ns
    2.5V @ 15V, 75A
    161 ns
    场站
    248nC
    225A
    24ns/136ns
    2.3mJ (on), 770μJ (off)
    20V
    6.5V
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 8 hours ago)
    3
    e3
    yes
    EAR99
    Tin (Sn)
    低导通损耗
    8541.29.00.95
    Single
    750W
    55 ns
    29ns
    20.32mm
    15.87mm
    4.82mm
    无SVHC
    无
    无铅
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