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首页 全部分类 IXXK100N60C3H1 vs FGL60N100BNTD

IXXK100N60C3H1备选型号: FGL60N100BNTD

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  • IGBT类型
  • 闸门收费
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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 引脚数
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  • 无铅代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 极性
  • 元素配置
  • 上升时间
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 最大击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • IXYS
    IXXK100N60C3H1
    IXYS
    IGBT Transistors XPT IGBT C3-Class 600V/170Amp CoPacked
    20 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-264-3, TO-264AA Variation
    10.000011g
    SILICON
    600V
    2.2V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    GenX3™, XPT™
    2005
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    雪崩 额定
    695W
    SINGLE
    unknown
    IXX*N60
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    695W
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    2.2V
    170A
    140 ns
    95 ns
    2.2V @ 15V, 70A
    220 ns
    PT
    150nC
    340A
    30ns/90ns
    2mJ (on), 950μJ (off)
    20V
    5.5V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FGL60N100BNTD
    ON Semiconductor
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGL60N100BNTDIGBT Single Transistor, 60 A, 2.9 V, 180 W, 1 kV, TO-264, 3 Pins
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-264-3, TO-264AA
    6.756g
    SILICON
    600V
    1.5V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    2017
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    -
    180W
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    180W
    -
    Standard
    电源控制
    -
    1kV
    60A
    1.2 μs
    460 ns
    2.9V @ 15V, 60A
    760 ns
    NPT和沟槽
    275nC
    120A
    140ns/630ns
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 6 days ago)
    3
    e3
    yes
    EAR99
    哑光锡
    8541.29.00.95
    1kV
    60A
    NPN
    Single
    320ns
    1000V
    1kV
    26mm
    20mm
    5mm
    无
    无SVHC
    无铅
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