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首页 全部分类 IXXN200N60B3H1 vs APT150GN60JDQ4

IXXN200N60B3H1备选型号: APT150GN60JDQ4

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  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
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  • 接通时间
  • 关断时间-标准值（toff)
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 无铅
  • IXYS
    IXXN200N60B3H1
    IXYS
    IGBT Transistors XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
    8 Weeks
    底座安装
    底座安装
    SOT-227-4, miniBLOC
    600V
    -55°C~150°C TJ
    XPT™, GenX3™
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    780W
    Single
    780W
    Standard
    1.7V
    200A
    50μA
    9.97nF
    1.7V @ 15V, 100A
    PT
    无
    9.97nF @ 25V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APT150GN60JDQ4
    Microsemi Corporation
    IGBT MOD 600V 220A 536W ISOTOP
    25 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    ISOTOP
    600V
    -55°C~175°C TJ
    -
    1999
    活跃
    1 (Unlimited)
    536W
    Single
    -
    Standard
    600V
    220A
    50μA
    9.2nF
    1.85V @ 15V, 150A
    沟渠现场停车
    无
    9.2nF @ 25V
    符合RoHS标准
    4
    30.000004g
    SILICON
    1.5V
    e1
    yes
    4
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED
    600V
    UPPER
    UNSPECIFIED
    220A
    4
    ISOLATED
    44 ns
    电源控制
    N-CHANNEL
    154 ns
    575 ns
    30V
    6.5V
    9.6mm
    38.2mm
    25.4mm
    无铅
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