IXXN200N60B3H1备选型号: HGT1N30N60A4D
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- 最大功率耗散
- 配置
- 功率 - 最大
- 输入
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最大集极截止电流
- 输入电容
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- IGBT类型
- NTC热敏电阻
- 输入电容(Cies)@Vce
- RoHS状态
- 引脚数
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 功率耗散
- 无铅
- IGBT Transistors XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT8 Weeks底座安装底座安装SOT-227-4, miniBLOC600V-55°C~150°C TJXPT™, GenX3™2013活跃1 (Unlimited)780WSingle780WStandard1.7V200A50μA9.97nF1.7V @ 15V, 100APT无9.97nF @ 25VROHS3 Compliant------
- Trans IGBT Chip N-CH 600V 96A 4-Pin SOT-227 Rail-Chassis Mount, Screw底座安装SOT-227-4, miniBLOC600V-55°C~150°C TJ--Obsolete1 (Unlimited)255WSingle-Standard600V96A250μA-2.7V @ 15V, 30A-无-符合RoHS标准42.7V600V96A225W无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | APT150GN60JDQ4 | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 模块 | ISOTOP | IGBT MOD 600V 220A 536W ISOTOP | 对比 |
![]() | APT150GN60J | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 模块 | ISOTOP | IGBT MOD 600V 220A 536W ISOTOP | 对比 |
| HGT1N30N60A4D | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 模块 | SOT-227-4, miniBLOC | Trans IGBT Chip N-CH 600V 96A 4-Pin SOT-227 Rail | 对比 |



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