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首页 全部分类 IXXX110N65B4H1 vs FGY120T65SPD-F085

IXXX110N65B4H1备选型号: FGY120T65SPD-F085

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  • IGBT类型
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  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
  • 无铅代码
  • 功率 - 最大
  • IXYS
    IXXX110N65B4H1
    IXYS
    IGBT Transistors 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    650V
    1.75V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    GenX4™, XPT™
    2013
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    Matte Tin (Sn)
    880W
    not_compliant
    110N65
    Single
    880W
    Standard
    26 ns
    N-CHANNEL
    2.1V
    240A
    100 ns
    2.1V @ 15V, 110A
    PT
    183nC
    630A
    38ns/156ns
    2.2mJ (on), 1.05mJ (off)
    20V
    6.5V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FGY120T65SPD-F085
    ON Semiconductor
    IGBT 650V 240A 882W TO-247
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    650V
    -
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    Automotive, AEC-Q101
    2016
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    882W
    not_compliant
    -
    -
    -
    Standard
    -
    -
    1.85V
    240A
    123 ns
    1.85V @ 15V, 120A
    沟渠现场停车
    162nC
    378A
    53ns/102ns
    6.8μJ (on), 3.5μJ (off)
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    7.629g
    yes
    882W
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