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首页 全部分类 IXXX110N65B4H1 vs IXXH110N65C4

IXXX110N65B4H1备选型号: IXXH110N65C4

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  • 零件状态
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  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • Reach合规守则
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 输入类型
  • 接通延迟时间
  • 极性/通道类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 反向恢复时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流（Icm）
  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • 辐射硬化
  • IXYS
    IXXX110N65B4H1
    IXYS
    IGBT Transistors 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    650V
    1.75V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    GenX4™, XPT™
    2013
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    Matte Tin (Sn)
    880W
    not_compliant
    110N65
    Single
    880W
    Standard
    26 ns
    N-CHANNEL
    2.1V
    240A
    100 ns
    2.1V @ 15V, 110A
    PT
    183nC
    630A
    38ns/156ns
    2.2mJ (on), 1.05mJ (off)
    20V
    6.5V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
  • IXYS
    IXXH110N65C4
    IXYS
    IGBT Transistors 650V/234A TRENCH IGBT GENX4 XPT
    28 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    650V
    1.98V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    GenX4™, XPT™
    2015
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    880W
    -
    110N65
    Single
    880W
    Standard
    -
    N-CHANNEL
    2.35V
    234A
    -
    2.35V @ 15V, 110A
    PT
    180nC
    600A
    35ns/143ns
    2.3mJ (on), 600μJ (off)
    20V
    6.5V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    3
    无
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