IXXX110N65B4H1备选型号: IXXX160N65C4

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  • JESD-609代码
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  • 端子表面处理
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  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 输入类型
  • 接通延迟时间
  • 极性/通道类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
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  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流(Icm)
  • Td(开/关)@25°C
  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • RoHS状态
  • 无铅
  • IXYS
    IGBT Transistors 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    650V
    1.75V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    GenX4™, XPT™
    2013
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    Matte Tin (Sn)
    880W
    not_compliant
    110N65
    Single
    880W
    Standard
    26 ns
    N-CHANNEL
    2.1V
    240A
    100 ns
    2.1V @ 15V, 110A
    PT
    183nC
    630A
    38ns/156ns
    2.2mJ (on), 1.05mJ (off)
    20V
    6.5V
    ROHS3 Compliant
    无铅
  • IXYS
    IGBT Transistors 650V/290A TRENCH IGBT GENX4 XPT
    -
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    650V
    1.7V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    GenX4™, XPT™
    2013
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    Matte Tin (Sn)
    940W
    -
    160N65
    Single
    940W
    Standard
    -
    N-CHANNEL
    2.1V
    290A
    -
    2.1V @ 15V, 160A
    PT
    422nC
    800A
    52ns/197ns
    3.5mJ (on), 1.3mJ (off)
    20V
    6.5V
    ROHS3 Compliant
    -
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