IXYH40N65C3D1备选型号: FGH40T65SHDF-F155
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- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- IGBT 650V 80A 300W TO24728 Weeks通孔通孔TO-247-3650V-55°C~175°C TJTubeGenX3™, XPT™2014活跃1 (Unlimited)300WStandard300W2.35V80A120 ns2.35V @ 15V, 40APT66nC180A23ns/110ns830μJ (on), 360μJ (off)ROHS3 Compliant----------
- IGBT 650V 80A 268W TO-247-36 Weeks通孔通孔TO-247-3650V-55°C~175°C TJTube-2016活跃1 (Unlimited)268WStandard268W650V80A101 ns1.81V @ 15V, 40A场站68nC120A18ns/64ns1.22mJ (on), 440μJ (off)ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 4 days ago)Tin36.39g1.45VyesSingleN-CHANNEL20V7.5V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FGH40T65SHDF-F155 | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 650V 80A 268W TO-247-3 | 对比 | |
![]() | STGW40H65DFB | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 650V 80A 283W TO-247 | 对比 |
![]() | STGWA30M65DF2 | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | STMICROELECTRONICS STGWA30M65DF2 IGBT Single Transistor, 60 A, 1.55 V, 258 W, 650 V, TO-247, 3 Pins | 对比 |




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