登录 / 注册

产品

输入型号/关键词

IXYH40N65C3D1备选型号: IXYH30N65C3H1

隐藏公共属性
型号:
品牌:
描述:
工厂交货时间
底架
安装类型
包装/外壳
操作温度
包装
系列
已出版
零件状态
湿度敏感性等级(MSL)
最大功率耗散
输入类型
功率 - 最大
集电极发射器电压(VCEO)
最大集电极电流
反向恢复时间
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
IGBT类型
闸门收费
集极脉冲电流（Icm）
Td（开/关）@25°C
开关能量
RoHS状态
质量
Collector-Emitter Saturation Voltage
元素配置

IXYH40N65C3D1

IXYS

IGBT 650V 80A 300W TO247

28 Weeks
通孔
通孔
TO-247-3
650V
-55°C~175°C TJ
Tube
GenX3™, XPT™
2014
活跃
1 (Unlimited)
300W
Standard
300W
2.35V
80A
120 ns
2.35V @ 15V, 40A
PT
66nC
180A
23ns/110ns
830μJ (on), 360μJ (off)
ROHS3 Compliant
-
-
-
IXYH30N65C3H1

IXYS

IGBT 650V 60A 270W TO247

14 Weeks
通孔
通孔
TO-247-3
650V
-55°C~175°C TJ
Tube
GenX3™, XPT™
2014
活跃
1 (Unlimited)
270W
Standard
270W
2.7V
60A
120 ns
2.7V @ 15V, 30A
PT
44nC
118A
21ns/75ns
1mJ (on), 270μJ (off)
ROHS3 Compliant
38.000013g
2.35V
Single
添加型号

分立半导体产品相关产品

图片	产品型号	品牌	分类	封装	描述	对比
	FGH40T65SHDF-F155	ON Semiconductor	晶体管 - IGBT - 单个	TO-247-3	IGBT 650V 80A 268W TO-247-3	对比
	STGW40H65DFB	STMicroelectronics	晶体管 - IGBT - 单个	TO-247-3	IGBT 650V 80A 283W TO-247	对比
	STGWA30M65DF2	STMicroelectronics	晶体管 - IGBT - 单个	TO-247-3	STMICROELECTRONICS STGWA30M65DF2 IGBT Single Transistor, 60 A, 1.55 V, 258 W, 650 V, TO-247, 3 Pins	对比