IXYX140N90C3备选型号: APT25GP90BDQ1G

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  • 最大功率耗散
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  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
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  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
  • 关断时间-标准值(toff)
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流(Icm)
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  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)
  • IGBT类型
  • IXYS
    IGBT 900V 310A 1630W TO247
    28 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    900V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    GenX3™, XPT™
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    1.63kW
    SINGLE
    R-PSFM-T3
    SINGLE
    COLLECTOR
    Standard
    1630W
    电源控制
    N-CHANNEL
    2.7V
    310A
    122 ns
    2.7V @ 15V, 140A
    300 ns
    330nC
    840A
    40ns/145ns
    4.3mJ (on), 4mJ (off)
    20V
    5.5V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    Trans IGBT Chip N-CH 900V 72A 3-Pin(3 Tab) TO-247
    19 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    900V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    POWER MOS 7®
    1999
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    -
    417W
    -
    -
    -
    -
    Standard
    417W
    -
    -
    900V
    72A
    -
    3.9V @ 15V, 25A
    -
    110nC
    110A
    13ns/55ns
    370μJ (off)
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    TO-247 [B]
    150°C
    -55°C
    900V
    72A
    Single
    900V
    PT
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