KSD882YS备选型号: MJE200STU

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  • 工厂交货时间
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  • 晶体管元件材料
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
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  • JESD-609代码
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  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
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  • 晶体管应用
  • 增益带宽积
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
  • 转换频率
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • ON Semiconductor
    TRANS NPN 30V 3A TO-126
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    2 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-225AA, TO-126-3
    3
    761mg
    SILICON
    30V
    300mV
    -55°C~150°C TJ
    Bulk
    2005
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    30V
    1W
    3A
    90MHz
    KSD882
    Single
    1W
    ISOLATED
    AMPLIFIER
    90MHz
    NPN
    NPN
    30V
    3A
    160 @ 1A 2V
    1μA ICBO
    500mV @ 200mA, 2A
    90MHz
    40V
    5V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
  • ON Semiconductor
    TRANS NPN 25V 5A TO-126
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)
    6 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-225AA, TO-126-3
    3
    761mg
    SILICON
    25V
    1.8V
    150°C TJ
    Tube
    2001
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    25V
    15W
    5A
    65MHz
    MJE200
    Single
    15W
    -
    -
    65MHz
    NPN
    NPN
    25V
    5A
    45 @ 2A 1V
    100nA ICBO
    1.8V @ 1A, 5A
    65MHz
    40V
    8V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
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