Diodes Incorporated APT13003DU-G1

工厂交货时间

15 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-225AA, TO-126-3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

450V

Collector-Emitter Saturation Voltage

300mV

Number of Elements

1

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2016

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

哑光锡

最大功率耗散

20W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSFM-T3

元素配置

Single

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

4MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

400mV

最大集电极电流

1.5A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

5 @ 1A 2V

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 250mA, 1A

转换频率

4MHz

发射极基极电压 (VEBO)

9V

连续集电极电流

1.5A

VCEsat-最大值

0.4 V

关断时间-最大值（toff)

3350ns

接通时间-最大值(ton)

700ns

最大下降时间 (tf)

350ns

RoHS状态

ROHS3 Compliant