KSD986YSTSSTU备选型号: APT13003DU-G1

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  • 包装/外壳
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  • Collector-Emitter Saturation Voltage
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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 额定电流
  • 极性
  • 元素配置
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 晶体管元件材料
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 晶体管应用
  • 增益带宽积
  • 极性/通道类型
  • 转换频率
  • 连续集电极电流
  • VCEsat-最大值
  • 关断时间-最大值(toff)
  • 接通时间-最大值(ton)
  • 最大下降时间 (tf)
  • ON Semiconductor
    TRANS NPN DARL 80V 1.5A TO-126
    通孔
    通孔
    TO-225AA, TO-126-3
    758mg
    80V
    1.5V
    150°C TJ
    Tube
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    80V
    1W
    1.5A
    NPN
    Single
    NPN - Darlington
    80V
    1.5A
    8000 @ 1A 2V
    10μA ICBO
    1.5V @ 1mA, 1A
    150V
    8V
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Volt Trans NPN 450V 20W
    通孔
    通孔
    TO-225AA, TO-126-3
    -
    450V
    300mV
    -65°C~150°C TJ
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    20W
    -
    -
    Single
    NPN
    400mV
    1.5A
    5 @ 1A 2V
    -
    400mV @ 250mA, 1A
    -
    9V
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    15 Weeks
    SILICON
    2016
    e3
    3
    哑光锡
    未说明
    未说明
    R-PSFM-T3
    SWITCHING
    4MHz
    NPN
    4MHz
    1.5A
    0.4 V
    3350ns
    700ns
    350ns
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