KSP06BU备选型号: 2N5830

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  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
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  • 引脚数
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  • 晶体管元件材料
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 操作温度
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  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
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  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 额定电流
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  • 基本部件号
  • 元素配置
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  • 晶体管应用
  • 增益带宽积
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
  • 转换频率
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 极性
  • 功率 - 最大
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)
  • ON Semiconductor
    TRANS NPN 80V 0.5A TO-92
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
    6 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    3
    179mg
    SILICON
    80V
    250mV
    150°C TJ
    Bulk
    2007
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    80V
    625mW
    BOTTOM
    500mA
    100MHz
    KSP06
    Single
    625mW
    AMPLIFIER
    100MHz
    NPN
    NPN
    80V
    500mA
    50 @ 100mA 1V
    100nA
    250mV @ 10mA, 100mA
    100MHz
    80V
    4V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    TRANS NPN 100V 0.2A TO-92
    -
    -
    通孔
    通孔
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    3
    201mg
    -
    100V
    250mV
    -55°C~150°C TJ
    Bulk
    1997
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    100V
    625mW
    -
    200mA
    -
    2N5830
    Single
    625mW
    -
    -
    -
    NPN
    100V
    200mA
    80 @ 10mA 5V
    50nA ICBO
    250mV @ 5mA, 50mA
    -
    120V
    5V
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    TO-92-3
    150°C
    -55°C
    NPN
    625mW
    100V
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