ON Semiconductor 2N5830

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

引脚数

3

供应商器件包装

TO-92-3

质量

201mg

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100V

Collector-Emitter Saturation Voltage

250mV

Current-Collector (Ic) (Max)

200mA

Number of Elements

1

hFEMin

80

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

1997

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

100V

最大功率耗散

625mW

额定电流

200mA

基本部件号

2N5830

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

625mW

功率 - 最大

625mW

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

100V

最大集电极电流

200mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

80 @ 10mA 5V

最大集极截止电流

50nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

250mV @ 5mA, 50mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

100V

集电极基极电压(VCBO)

120V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅