ON Semiconductor 2N3859A

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Number of Elements

1

hFEMin

100

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

电压 - 额定直流

60V

最大功率耗散

625mW

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

Reach合规守则

unknown

额定电流

500A

频率

250MHz

基本部件号

2N3859

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率耗散

625mW

增益带宽积

250MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

60V

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 1mA 1V

最大集极截止电流

500nA ICBO

转换频率

90MHz

集电极基极电压(VCBO)

60V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

集电极-基极电容-最大值

4pF

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅