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首页 全部分类 LET9045 vs PD20010-E

LET9045备选型号: PD20010-E

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  • 电压-测试
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  • 辐射硬化
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  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 增益
  • 漏源击穿电压
  • 功率 - 输出
  • STMicroelectronics
    LET9045
    STMicroelectronics
    TRANSISTOR RF POWER N-CH 80V 9A
    表面贴装
    PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
    4
    1
    Tray
    e3
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    165°C
    -65°C
    HIGH RELIABILITY
    79W
    DUAL
    鸥翼
    250
    9A
    960MHz
    LET9045
    10
    R-PDSO-G2
    SINGLE
    增强型MOSFET
    79W
    SOURCE
    300mA
    AMPLIFIER
    N-CHANNEL
    LDMOS
    5A
    15V
    59W
    9A
    80V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    28V
    17.5dB
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    PD20010-E
    STMicroelectronics
    Trans RF MOSFET N-CH 40V 5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube
    表面贴装
    PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
    3
    1
    Tube
    -
    活跃
    3 (168 Hours)
    2
    EAR99
    -
    165°C
    -65°C
    ESD PROTECTION, HIGH RELIABILITY
    59W
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    5A
    2GHz
    PD20010
    10
    R-PDSO-G2
    -
    增强型MOSFET
    59W
    SOURCE
    150mA
    AMPLIFIER
    N-CHANNEL
    LDMOS
    5A
    15V
    15W
    5A
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    13.6V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    25 Weeks
    未说明
    不合格
    Single
    40V
    11dB
    40V
    10W
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