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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥252.884923
10
¥238.570687
100
¥225.066679
500
¥212.32706
1000
¥200.308547
STMicroelectronics LET9045
- 收藏
- 对比
LET9045
2381-LET9045
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
大陆
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TRANSISTOR RF POWER N-CH 80V 9A
--最小包装量--
¥
总价: ¥
LET9045详情
STMicroelectronics LET9045重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
包装/外壳
PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
引脚数
4
Number of Elements
1
Voltage Rated
80V
Usage Level
Military grade
包装
Tray
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
最高工作温度
165°C
最小工作温度
-65°C
附加功能
HIGH RELIABILITY
最大功率耗散
79W
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
250
额定电流
9A
频率
960MHz
基本部件号
LET9045
引脚数量
10
JESD-30代码
R-PDSO-G2
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
79W
箱体转运
SOURCE
测试电流
300mA
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
晶体管类型
LDMOS
连续放电电流(ID)
5A
栅极至源极电压(Vgs)
15V
最大输出功率
59W
最大漏极电流 (Abs) (ID)
9A
DS 击穿电压-最小值
80V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
电压-测试
28V
功率增益
17.5dB
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
LET9045拓展信息
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
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