LET9045备选型号: PD84006-E
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 包装/外壳
- 引脚数
- 包装
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 频率
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 测试电流
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大输出功率
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- DS 击穿电压-最小值
- 场效应管技术
- 电压-测试
- 功率增益
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 元素配置
- 漏源电压 (Vdss)
- 增益
- 漏源击穿电压
- TRANSISTOR RF POWER N-CH 80V 9A表面贴装PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)41Traye3Obsolete3 (168 Hours)2EAR99Matte Tin (Sn) - annealed165°C-65°CHIGH RELIABILITY79WDUAL鸥翼2509A960MHzLET904510R-PDSO-G2SINGLE增强型MOSFET79WSOURCE300mAAMPLIFIERN-CHANNELLDMOS5A15V59W9A80VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR28V17.5dB无ROHS3 Compliant无铅--------
- FET RF 25V 870MHZ PWRSO-10RF表面贴装PowerSO-10 Exposed Bottom Pad31Tubee3活跃3 (168 Hours)2EAR99Matte Tin (Sn) - annealed150°C-65°CHIGH RELIABILITY59WDUAL鸥翼2505A870MHzPD8400610R-PDSO-G2-增强型MOSFET59WSOURCE150mAAMPLIFIERN-CHANNELLDMOS5A15V6W5A-METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR7.5V--ROHS3 Compliant-52 Weeksnot_compliant未说明不合格Single25V15dB25V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| PMN34LN,135 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SC-74, SOT-457 | MOSFET N-CH 20V 5.7A 6TSOP | 对比 | |
![]() | PD20010-E | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) | Trans RF MOSFET N-CH 40V 5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube | 对比 |
![]() | PD20010TR-E | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) | TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF FORM | 对比 |




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