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MBR12030CT备选型号: MBR40035CTR

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  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 二极管元件材料
  • 包装
  • 已出版
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 终端
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 应用
  • 螺距
  • 端子位置
  • 方向
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 接头数量
  • 触点电阻
  • 元素配置
  • 速度
  • 二极管类型
  • 反向泄漏电流@ Vr
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
  • 正向电流
  • 最大反向漏电电流
  • 工作温度 - 结点
  • 最大浪涌电流
  • 平均整流电流（Io）
  • 正向电压
  • 最大反向电压（DC）
  • 平均整流电流
  • 相位的数量
  • 峰值反向电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 二极管配置
  • 最大正向浪涌电流（Ifsm）
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • ECCN 代码
  • HTS代码
  • GeneSiC Semiconductor
    MBR12030CT
    GeneSiC Semiconductor
    Schottky Diodes & Rectifiers 30V 120A Schottky Recovery
    PRODUCTION (Last Updated: 6 months ago)
    6 Weeks
    Chassis Mount, Through Hole
    底座安装
    双塔
    2
    SILICON
    2
    Bulk
    2012
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    Solder
    175°C
    -40°C
    POWER
    2mm
    UPPER
    直角
    UNSPECIFIED
    未说明
    未说明
    5
    20mOhm
    共阴极
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Schottky
    3mA @ 20V
    650mV @ 60A
    60A
    1μA
    -55°C~150°C
    800A
    120A DC
    650mV
    30V
    120A
    1
    1A
    30V
    1 Pair Common Cathode
    800A
    无SVHC
    符合RoHS标准
    -
    -
  • GeneSiC Semiconductor
    MBR40035CTR
    GeneSiC Semiconductor
    Schottky Diodes & Rectifiers 35V 400A Schottky Recovery
    PRODUCTION (Last Updated: 6 months ago)
    6 Weeks
    底座安装
    底座安装
    双塔
    2
    SILICON
    2
    Bulk
    2003
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    -
    175°C
    -40°C
    POWER
    -
    UPPER
    -
    UNSPECIFIED
    未说明
    未说明
    -
    -
    共阳极
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Schottky, Reverse Polarity
    1mA @ 35V
    700mV @ 200A
    200A
    1μA
    -55°C~150°C
    3kA
    400A DC
    650mV
    35V
    400A
    1
    1A
    35V
    1 Pair Common Anode
    -
    无SVHC
    符合RoHS标准
    EAR99
    8541.10.00.80
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