GeneSiC Semiconductor MBR12030CT
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MBR12030CT
962-MBR12030CT
二极管 - 整流器 - 阵列
Twin Tower
大陆
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Schottky Diodes & Rectifiers 30V 120A Schottky Recovery
1最小包装量--
MBR12030CT详情
GeneSiC Semiconductor MBR12030CT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
PRODUCTION (Last Updated: 6 months ago)
工厂交货时间
6 Weeks
底架
Chassis Mount, Through Hole
安装类型
底座安装
包装/外壳
双塔
引脚数
2
二极管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
包装
Bulk
已出版
2012
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
终端
Solder
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-40°C
应用
POWER
螺距
2mm
端子位置
UPPER
方向
直角
终端形式
UNSPECIFIED
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
接头数量
5
触点电阻
20mOhm
元素配置
共阴极
速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
二极管类型
Schottky
反向泄漏电流@ Vr
3mA @ 20V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
650mV @ 60A
正向电流
60A
最大反向漏电电流
1μA
工作温度 - 结点
-55°C~150°C
最大浪涌电流
800A
平均整流电流(Io)
120A DC
正向电压
650mV
最大反向电压(DC)
30V
平均整流电流
120A
相位的数量
1
峰值反向电流
1A
最大重复反向电压(Vrrm)
30V
二极管配置
1 Pair Common Cathode
最大正向浪涌电流(Ifsm)
800A
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
符合RoHS标准
MBR12030CT拓展信息
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor
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