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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥559.818917
10
¥528.131052
100
¥498.236844
500
¥470.034759
1000
¥443.429014
GeneSiC Semiconductor MBR30035CTR
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- 对比
MBR30035CTR
962-MBR30035CTR
二极管 - 整流器 - 阵列
Twin Tower
大陆
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Schottky Diodes & Rectifiers 35V 300A Schottky Recovery
--最小包装量--
¥
总价: ¥
MBR30035CTR详情
GeneSiC Semiconductor MBR30035CTR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
底架
底座安装
安装类型
底座安装
包装/外壳
双塔
引脚数
2
二极管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
包装
Bulk
已出版
2003
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-40°C
应用
POWER
HTS代码
8541.10.00.80
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
元素配置
共阳极
速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
二极管类型
Schottky, Reverse Polarity
反向泄漏电流@ Vr
1mA @ 35V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
700mV @ 150A
正向电流
150A
最大反向漏电电流
1μA
工作温度 - 结点
-55°C~150°C
最大浪涌电流
2.5kA
正向电压
650mV
最大反向电压(DC)
35V
平均整流电流
300A
相位的数量
1
峰值反向电流
1A
最大重复反向电压(Vrrm)
35V
二极管配置
1 Pair Common Anode
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
符合RoHS标准
MBR30035CTR拓展信息
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor
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