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MBR500200CTR备选型号: MBRT200100

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  • 已出版
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 箱体转运
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  • 最大反向漏电电流
  • 最大浪涌电流
  • 输出电流-最大值
  • 平均整流电流（Io）
  • 峰值反向电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • GeneSiC Semiconductor
    MBR500200CTR
    GeneSiC Semiconductor
    DIODE SCHOTTKY 200V 250A 2 TOWER
    PRODUCTION (Last Updated: 5 months ago)
    6 Weeks
    底座安装
    底座安装
    双塔
    SILICON
    2
    Bulk
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    POWER
    UPPER
    UNSPECIFIED
    R-PUFM-X2
    共阳极
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Schottky
    3mA @ 200V
    920mV @ 250A
    -55°C~150°C
    200V
    250A
    1
    3500A
    1 Pair Common Anode
    3000μA
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • GeneSiC Semiconductor
    MBRT200100
    GeneSiC Semiconductor
    Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 200A100P/70R
    PRODUCTION (Last Updated: 4 months ago)
    6 Weeks
    底座安装
    底座安装
    三塔
    SILICON
    2
    Bulk
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    POWER
    UPPER
    UNSPECIFIED
    R-PUFM-X3
    共阴极
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Schottky
    1mA @ 20V
    880mV @ 100A
    -55°C~150°C
    100V
    200A
    1
    -
    1 Pair Common Cathode
    -
    符合RoHS标准
    2010
    150°C
    -40°C
    未说明
    未说明
    ISOLATED
    200A
    1μA
    1.5kA
    100A
    200A DC
    1A
    100V
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