GeneSiC Semiconductor MBR500200CTR
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MBR500200CTR
962-MBR500200CTR
二极管 - 整流器 - 阵列
Twin Tower
大陆
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DIODE SCHOTTKY 200V 250A 2 TOWER
1最小包装量--
MBR500200CTR详情
GeneSiC Semiconductor MBR500200CTR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
PRODUCTION (Last Updated: 5 months ago)
工厂交货时间
6 Weeks
底架
底座安装
安装类型
底座安装
包装/外壳
双塔
二极管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
Operating Temperature (Max.)
150°C
包装
Bulk
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
应用
POWER
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
JESD-30代码
R-PUFM-X2
元素配置
共阳极
速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
二极管类型
Schottky
反向泄漏电流@ Vr
3mA @ 200V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
920mV @ 250A
工作温度 - 结点
-55°C~150°C
最大反向电压(DC)
200V
平均整流电流
250A
相位的数量
1
最大非代表Pk前进电流
3500A
二极管配置
1 Pair Common Anode
反向电流-最大值
3000μA
RoHS状态
符合RoHS标准
MBR500200CTR拓展信息
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor
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