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首页 全部分类 MCH6321-TL-E vs MCH3377-TL-W

MCH6321-TL-E备选型号: MCH3377-TL-W

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  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 上升时间
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 底架
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • Reach合规守则
  • 配置
  • 通道数量
  • 晶体管应用
  • Vgs（最大值）
  • DS 击穿电压-最小值
  • ON Semiconductor
    MCH6321-TL-E
    ON Semiconductor
    MOSFET SWITCHING DEVICE
    ACTIVE (Last Updated: 1 hour ago)
    2 Weeks
    表面贴装
    6-SMD, Flat Leads
    YES
    6
    4A Ta
    Tape & Reel (TR)
    2007
    e6
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    150°C
    -55°C
    1.5W
    DUAL
    6
    Single
    增强型MOSFET
    1.5W
    8.1 ns
    P-Channel
    83m Ω @ 2A, 4.5V
    375pF @ 10V
    4.6nC @ 4.5V
    31ns
    20V
    39 ns
    4A
    10V
    4A
    0.083Ohm
    -20V
    850μm
    2mm
    1.6mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MCH3377-TL-W
    ON Semiconductor
    MOSFET PCH 1.8V DRIVE SERIES
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    3-SMD, Flat Lead
    -
    3
    3A Ta
    Tape & Reel (TR)
    2014
    e6
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    -
    -
    -
    DUAL
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    8.1 ns
    P-Channel
    83m Ω @ 1.5A, 4.5V
    375pF @ 10V
    4.6nC @ 4.5V
    26ns
    20V
    37 ns
    3A
    10V
    3A
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    表面贴装
    124.596154mg
    SILICON
    150°C TJ
    not_compliant
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    SWITCHING
    ±10V
    20V
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