MCH6613-TL-E备选型号: DMG6301UDW-7
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 引脚数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 极性/通道类型
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 底架
- 质量
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 通道数量
- 接通延迟时间
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- MCH6613-TL-E Dual N/P-channel MOSFET Transistor; 0.2 A; 0.35 A; 30 V; 6-Pin MCPHLAST SHIPMENTS (Last Updated: 11 hours ago)6 Weeks表面贴装6-SMD, Flat LeadsYES6SILICON350mA 200mA150°C TJTape & Reel (TR)2004e6yesObsolete1 (Unlimited)6EAR99Tin/Bismuth (Sn/Bi)800mW6DualDEPLETION MODE800mWN and P-ChannelSWITCHING3.7 Ω @ 80mA, 4V7pF @ 10V1.58nC @ 10V65ns30VN-CHANNEL AND P-CHANNEL120 ns200mA10V0.35A-30VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门850μm2mm1.6mm无符合RoHS标准无铅--------
- MOSFET 25V Dual N-Ch Enh 8Vgss .24A 0.3W-15 Weeks表面贴装6-TSSOP, SC-88, SOT-363---6.6 ns-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2013e3-活跃1 (Unlimited)-EAR99Matte Tin (Sn)300mW-Dual--2 N-Channel (Dual)-4 Ω @ 400mA, 4.5V27.9pF @ 10V0.36nC @ 4.5V1.8ns25V-2.3 ns240mA8V---Standard----ROHS3 Compliant-表面贴装6.010099mg26030DMG630122.9 ns1.5V @ 250μA
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMG6301UDW-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET 25V Dual N-Ch Enh 8Vgss .24A 0.3W | 对比 |
| CPH5617-TL-E | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 5-SMD, Gull Wing | CPH5617-TL-E Dual N-channel MOSFET Transistor; 0.15 A; 30 V; 5-Pin CPH | 对比 | |
| 3LN01C-TB-E | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP | 对比 |



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