ON Semiconductor MCH6613-TL-E
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MCH6613-TL-E
1807-MCH6613-TL-E
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
6-SMD, Flat Leads
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MCH6613-TL-E Dual N/P-channel MOSFET Transistor; 0.2 A; 0.35 A; 30 V; 6-Pin MCPH
--最小包装量--
MCH6613-TL-E详情
ON Semiconductor MCH6613-TL-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 11 hours ago)
工厂交货时间
6 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-SMD, Flat Leads
表面安装
YES
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
350mA 200mA
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
155 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2004
JESD-609代码
e6
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Bismuth (Sn/Bi)
最大功率耗散
800mW
引脚数量
6
元素配置
Dual
操作模式
DEPLETION MODE
功率耗散
800mW
场效应管类型
N and P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
3.7 Ω @ 80mA, 4V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
7pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
1.58nC @ 10V
上升时间
65ns
漏源电压 (Vdss)
30V
极性/通道类型
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
下降时间(典型值)
120 ns
连续放电电流(ID)
200mA
栅极至源极电压(Vgs)
10V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.35A
漏源击穿电压
-30V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
高度
850μm
长度
2mm
宽度
1.6mm
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
MCH6613-TL-E拓展信息









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