MJD32CTM备选型号: MJD32C-13
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- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 包装/外壳
- 安装类型
- 引脚数
- 质量
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 已出版
- 包装
- 操作温度
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 频率
- 基本部件号
- 元素配置
- 功率耗散
- 增益带宽积
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 转换频率
- 最大击穿电压
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- RoHS状态
- 辐射硬化
- 无铅
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- 类型
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 箱体转运
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- Bipolar Transistors - BJT PNP 100V 1A EpitaxialLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)6 Weeks表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63表面贴装3260.37mg100V-1.2V2016Tape & Reel (TR)150°C TJe3yesObsolete1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)-100V1.56W-1A3MHzMJD32Single1.56W3MHzPNPPNP100V3A10 @ 3A 4V50μA1.2V @ 375mA, 3A3MHz100V-100V-5VROHS3 Compliant无无铅---------------
- TRANS PNP 100V 3A TO252-3L-21 Weeks表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63表面贴装3-100V1.2V2012Tape & Reel (TR)-55°C~150°C TJe3yes活跃1 (Unlimited)EAR99Matte Tin (Sn)-1.56W---Single-3MHz-PNP100V3A10 @ 3A 4V1μA1.2V @ 375mA, 3A3MHz100V100V6VROHS3 Compliant无无铅SILICON2通用型鸥翼260404R-PSSO-G2COLLECTOR15WSWITCHING2.4mm6.8mm6.2mm无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TTA003,L1NQ(O | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TRANS PNP 80V 3A PW-MOLD | 对比 |
![]() | MJD32C-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TRANS PNP 100V 3A TO252-3L | 对比 |
| 2SB1316TL | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TRANS PNP DARL 100V 2A SOT-428 | 对比 |





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