ON Semiconductor MJD32CTM
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MJD32CTM
1807-MJD32CTM
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Bipolar Transistors - BJT PNP 100V 1A Epitaxial
1最小包装量--
MJD32CTM详情
ON Semiconductor MJD32CTM重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
工厂交货时间
6 Weeks
底架
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
安装类型
表面贴装
引脚数
3
质量
260.37mg
Collector-Emitter Breakdown Voltage
100V
Collector-Emitter Saturation Voltage
-1.2V
hFEMin
10
Number of Elements
1
已出版
2016
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
150°C TJ
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 额定直流
-100V
最大功率耗散
1.56W
额定电流
-1A
频率
3MHz
基本部件号
MJD32
元素配置
Single
功率耗散
1.56W
增益带宽积
3MHz
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
100V
最大集电极电流
3A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
10 @ 3A 4V
最大集极截止电流
50μA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1.2V @ 375mA, 3A
转换频率
3MHz
最大击穿电压
100V
集电极基极电压(VCBO)
-100V
发射极基极电压 (VEBO)
-5V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
辐射硬化
无
无铅
无铅
MJD32CTM拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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