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MMIX1F210N30P3备选型号: FDB28N30TM
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- 安装类型
- 包装/外壳
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最大功率耗散
- 配置
- 操作模式
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 无铅
MOSFET N-CH 300V 108A MMIX表面贴装表面贴装24-PowerSMD, 21 Leads108A TcTubeHiPerFET™, Polar3™活跃1 (Unlimited)520WSingle增强型MOSFETN-Channel16m Ω @ 105A, 10V5V @ 8mA16200pF @ 25V300V108AROHS3 Compliant-------------------------------------
Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB28A TcTape & Reel (TR)UniFET™活跃1 (Unlimited)--增强型MOSFETN-Channel129m Ω @ 14A, 10V5V @ 250μA2250pF @ 25V-28AROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 6 days ago)4 WeeksTin31.31247gSILICON-55°C~150°C TJ2007e3yes2EAR99129mOhm鸥翼未说明not_compliant未说明R-PSSO-G2不合格Single250WDRAIN35 nsSWITCHING50nC @ 10V135ns±30V69 ns5V30V300V588 mJ4.83mm10.67mm11.33mm无SVHC无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDB28N30TM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R | 对比 |
 | STB46N30M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 300V 53A D2PAK | 对比 |
 | FQD7N30TM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET 300V N-Channel QFET | 对比 |
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