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MMIX1F210N30P3备选型号: FQD7N30TM
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- 配置
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- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 漏源电压 (Vdss)
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- RoHS状态
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 额定电流
- JESD-30代码
- 元素配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- 无铅
MOSFET N-CH 300V 108A MMIX表面贴装表面贴装24-PowerSMD, 21 Leads108A TcTubeHiPerFET™, Polar3™活跃1 (Unlimited)520WSingle增强型MOSFETN-Channel16m Ω @ 105A, 10V5V @ 8mA16200pF @ 25V300V108AROHS3 Compliant----------------------------------
MOSFET 300V N-Channel QFET表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-635.5A TcTape & Reel (TR)QFET®活跃1 (Unlimited)--增强型MOSFETN-Channel700m Ω @ 2.75A, 10V5V @ 250μA610pF @ 25V-5.5AROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 2 days ago)4 Weeks3260.37mgSILICON-55°C~150°C TJ2000e3yes2EAR99700mOhmTin (Sn)300V鸥翼5.5AR-PSSO-G2Single2.5WDRAIN13 nsSWITCHING17nC @ 10V75ns±30V35 ns30V300V22A2.3mm6.6mm6.1mm无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDB28N30TM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R | 对比 |
 | STB46N30M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 300V 53A D2PAK | 对比 |
| FQD7N30TM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET 300V N-Channel QFET | 对比 |
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