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MMIX1T132N50P3备选型号: IPD50R3K0CEAUMA1
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- 安装类型
- 包装/外壳
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 晶体管应用
- 无卤素
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 达到SVHC
- 无铅
SMPD HIPERFETS & MOSFETS30 Weeks表面贴装表面贴装24-PowerSMD, 22 Leads63A Tc5V @ 8mA-55°C~150°C TJTubePolar™2016yes活跃1 (Unlimited)N-Channel43m Ω @ 66A, 10V18600pF @ 25V267nC @ 10V500V±30V63AROHS3 Compliant---------------------
MOSFET N-CH 500V 1.7A PG-TO-25218 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-6313.5V @ 30μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)CoolMOS™ CE2013yes活跃3 (168 Hours)N-Channel3 Ω @ 400mA, 13V84pF @ 100V4.3nC @ 10V-±20V1.7AROHS3 CompliantSILICONe32EAR99Tin (Sn)8541.29.00.95SINGLE鸥翼未说明未说明R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETSWITCHING无卤素500V3Ohm4.1A18 mJnot_compliant含铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPB65R045C7ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 650V 46A TO-263-3 | 对比 |
 | FQD3P50TM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | In a Pack of 10, FQD3P50TM P-Channel MOSFET, 1.33 A, 500 V QFET, 3-Pin DPAK ON Semiconductor | 对比 |
| IPD50R3K0CEAUMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 500V 1.7A PG-TO-252 | 对比 |
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