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首页 全部分类 MPSH10RLRPG vs KSP10TA

MPSH10RLRPG备选型号: KSP10TA

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  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 频率
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 增益带宽积
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 转换频率
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 集电极-基极电容-最大值
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 质量
  • 最大集电极电流
  • 最大击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • ON Semiconductor
    MPSH10RLRPG
    ON Semiconductor
    RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 23 hours ago)
    通孔
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
    NO
    3
    SILICON
    25V
    500mV
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Box (TB)
    2007
    e1
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    25V
    350W
    BOTTOM
    260
    4mA
    650MHz
    40
    MPSH10
    3
    Single
    350W
    350mW
    AMPLIFIER
    650MHz
    NPN
    NPN
    25V
    60 @ 4mA 10V
    650MHz
    30V
    3V
    0.7pF
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    KSP10TA
    ON Semiconductor
    NPN 1 W 25 V Through Hole Epitaxial Silicon Transistor - TO-92-3
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    通孔
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
    -
    3
    SILICON
    25V
    500mV
    150°C TJ
    Tape & Box (TB)
    2002
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    25V
    350mW
    BOTTOM
    -
    100mA
    650MHz
    -
    KSP10
    -
    Single
    350mW
    -
    -
    650MHz
    NPN
    NPN
    25V
    60 @ 4mA 10V
    650MHz
    30V
    3V
    0.7pF
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    7 Weeks
    通孔
    240mg
    4mA
    25V
    4.58mm
    4.58mm
    3.86mm
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KSP10TA KSP10TA ON Semiconductor 晶体管 - 双极（BJT）- 射频 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) NPN 1 W 25 V Through Hole Epitaxial Silicon Transistor - TO-92-3 对比
2N5089 2N5089 ON Semiconductor 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TRANS NPN 25V 0.05A TO92 对比