ON Semiconductor 2N5089

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供应商器件包装

TO-92-3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

25V

Collector-Emitter Saturation Voltage

500mV

Current-Collector (Ic) (Max)

50mA

hFEMin

400

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2006

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

25V

最大功率耗散

625mW

额定电流

50mA

基本部件号

2N5089

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

625mW

功率 - 最大

625mW

增益带宽积

50MHz

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

500mV

最大集电极电流

50mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

400 @ 100μA 5V

最大集极截止电流

50nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 1mA, 10mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

25V

频率转换

50MHz

集电极基极电压(VCBO)

30V

发射极基极电压 (VEBO)

3V

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅