ON Semiconductor MPSH10RLRPG

生命周期状态

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安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

表面安装

NO

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

25V

Collector-Emitter Saturation Voltage

500mV

Number of Elements

1

hFEMin

60

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Box (TB)

已出版

2007

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

电压 - 额定直流

25V

最大功率耗散

350W

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

4mA

频率

650MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

MPSH10

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

350W

功率 - 最大

350mW

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

650MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

25V

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

60 @ 4mA 10V

转换频率

650MHz

集电极基极电压(VCBO)

30V

发射极基极电压 (VEBO)

3V

集电极-基极电容-最大值

0.7pF

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅