MR25H10MDF备选型号: CY14B101Q2-LHXI
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- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
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- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 电源电压-最大值(Vsup)
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- 内存大小
- 电源电流
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- 数据总线宽度
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- RoHS状态
- 触点镀层
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 基本部件号
- 工作电源电压
- 界面
- 逻辑功能
- 待机电流-最大值
- 时间格式
- 辐射硬化
- 无铅
- NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 SPI12 Weeks表面贴装表面贴装8-VDFN Exposed Pad8Non-Volatile-40°C~125°C TATrayAutomotive, AEC-Q1002013活跃3 (168 Hours)8EAR99600mW2.7V~3.6VDUAL未说明13V1.27mm未说明83.6V3V1Mb 128K x 827mASYNCHRONOUS40MHz10 nsRAMSPI8b81 Mb8b125°C900μm6mmROHS3 Compliant-----------
- NVRAM NVSRAM Serial-SPI 1M-Bit 3V 8-Pin DFN EP6 Weeks表面贴装表面贴装8-WDFN Exposed Pad8Non-Volatile-40°C~85°C TATray-2008活跃3 (168 Hours)8EAR991W2.7V~3.6VDUAL26013V1.27mm3083.6V2.7V1Mb 128K x 810mA-40MHz9 nsNVSRAMSPI8b81 Mb8b--6mmROHS3 CompliantGold, Tine4Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)CY14B1013VSPI, SerialClock0.005AHH:MM:SS无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SST25PF020B-80-4C-Q3AE-T | Microchip Technology | 存储器 | 8-UFDFN Exposed Pad | Flash Memory 2.3V to 3.6V 2Mbit SPI Serial Flash | 对比 |
![]() | FM24CL16B-DG | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 8-WDFN Exposed Pad | IC FRAM 16KBIT I2C 1MHZ 8TDFN | 对比 |
| CY14B101Q2-LHXI | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 8-WDFN Exposed Pad | NVRAM NVSRAM Serial-SPI 1M-Bit 3V 8-Pin DFN EP | 对比 |




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