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首页 全部分类 MT16HTS51264HY-667A1 vs MT4HTF6464HZ-800H1

MT16HTS51264HY-667A1备选型号: MT4HTF6464HZ-800H1

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 附加功能
  • HTS代码
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 端子间距
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 工作电源电压
  • 温度等级
  • 最大电源电压
  • 最小电源电压
  • 内存大小
  • 端口的数量
  • 速度
  • 操作模式
  • 时钟频率
  • 组织结构
  • 输出特性
  • 内存宽度
  • 待机电流-最大值
  • 记忆密度
  • 最高频率
  • 访问时间（最大）
  • I/O类型
  • 刷新周期
  • 访问模式
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅代码
  • 访问时间
  • 数据总线宽度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Micron Technology Inc.
    MT16HTS51264HY-667A1
    Micron Technology Inc.
    MODULE DDR2 SDRAM 4GB 200SODIMM
    Socket
    200-SODIMM
    200
    DDR2 SDRAM
    2010
    e4
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    200
    EAR99
    GOLD
    70°C
    0°C
    AUTO/SELF REFRESH
    8542.32.00.36
    ZIG-ZAG
    无铅
    260
    1
    1.8V
    0.6mm
    unknown
    30
    200
    不合格
    1.8V
    COMMERCIAL
    1.9V
    1.7V
    4GB
    1
    667MT/s
    SYNCHRONOUS
    333MHz
    512MX64
    3-STATE
    64
    0.128A
    34359738368 bit
    667MHz
    0.45 ns
    COMMON
    8192
    双库页面突发
    67.6mm
    3.8mm
    30mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
  • Micron Technology Inc.
    MT4HTF6464HZ-800H1
    Micron Technology Inc.
    DRAM Module DDR2 SDRAM 512Mbyte 200SODIMM
    Socket
    200-SODIMM
    200
    DDR2 SDRAM
    2010
    e3
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    200
    -
    Matte Tin (Sn)
    70°C
    0°C
    SELF REFRESH; WD-MAX
    -
    ZIG-ZAG
    -
    260
    1
    1.8V
    0.6mm
    -
    30
    -
    -
    1.8V
    COMMERCIAL
    1.9V
    1.7V
    512MB
    1
    800MT/s
    -
    -
    -
    3-STATE
    64
    0.028A
    -
    800MHz
    -
    COMMON
    8192
    -
    67.6mm
    30.15mm
    -
    ROHS3 Compliant
    yes
    900 ns
    64b
    无
    无铅
  • 添加型号
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