Micron Technology Inc. MT16HTS51264HY-667A1
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MT16HTS51264HY-667A1
1616-MT16HTS51264HY-667A1
存储器 - 模块
200-SODIMM
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MODULE DDR2 SDRAM 4GB 200SODIMM
1最小包装量--
MT16HTS51264HY-667A1详情
Micron Technology Inc. MT16HTS51264HY-667A1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
Socket
包装/外壳
200-SODIMM
引脚数
200
Memory Types
DDR2 SDRAM
Number of Elements
16
已出版
2010
JESD-609代码
e4
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
200
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
GOLD
最高工作温度
70°C
最小工作温度
0°C
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.36
端子位置
ZIG-ZAG
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
1.8V
端子间距
0.6mm
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
200
资历状况
不合格
工作电源电压
1.8V
温度等级
COMMERCIAL
最大电源电压
1.9V
最小电源电压
1.7V
内存大小
4GB
端口的数量
1
速度
667MT/s
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
333MHz
组织结构
512MX64
输出特性
3-STATE
内存宽度
64
待机电流-最大值
0.128A
记忆密度
34359738368 bit
最高频率
667MHz
访问时间(最大)
0.45 ns
I/O类型
COMMON
刷新周期
8192
访问模式
双库页面突发
长度
67.6mm
座位高度(最大)
3.8mm
宽度
30mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MT16HTS51264HY-667A1拓展信息
Micron Technology Inc.
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