MT8HTF12864HZ-800M1备选型号: MT4HTF6464HZ-667H1
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- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 包装/外壳
- 引脚数
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 工作电源电压
- 最大电源电压
- 最小电源电压
- 内存大小
- 速度
- 数据总线宽度
- 最高频率
- RoHS状态
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 温度等级
- 端口的数量
- 时钟频率
- 访问时间
- 输出特性
- 内存宽度
- 待机电流-最大值
- I/O类型
- 刷新周期
- 长度
- 座位高度(最大)
- 辐射硬化
- MODULE DDR2 SDRAM 1GB 200SODIMM5 WeeksGoldSocket200-SODIMM200DDR2 SDRAM2009Obsolete3 (168 Hours)70°C0°C1.8V1.9V1.7V1GB800MT/s64b400MHzROHS3 Compliant-------------------------
- MODUL DDR2 SDRAM 512MB 200SODIMM--Socket200-SODIMM200DDR2 SDRAM2010Obsolete1 (Unlimited)70°C0°C1.8V1.9V1.7V512MB667MT/s64b667MHzROHS3 Compliante3yes200EAR99哑光锡WD-MAXZIG-ZAG26011.8V0.6mm30200INDUSTRIAL1333MHz900 ns3-STATE640.028ACOMMON819267.6mm30.15mm无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MT4HTF6464HZ-667H1 | Micron Technology Inc. | 存储器 - 模块 | 200-SODIMM | MODUL DDR2 SDRAM 512MB 200SODIMM | 对比 |
![]() | MT8HTF6464HDZ-667G1 | Micron Technology Inc. | 存储器 - 模块 | 200-SODIMM | DRAM Module DDR2 SDRAM 512Mbyte 200SODIMM | 对比 |





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