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首页 全部分类 MT8HTF12864HZ-800M1 vs MT8HTF6464HDZ-667G1

MT8HTF12864HZ-800M1备选型号: MT8HTF6464HDZ-667G1

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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 最高工作温度
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  • 最高频率
  • RoHS状态
  • 终止次数
  • 端子位置
  • 电源电压
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  • 温度等级
  • 时钟频率
  • 组织结构
  • 输出特性
  • 内存宽度
  • 待机电流-最大值
  • 记忆密度
  • 访问时间（最大）
  • I/O类型
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Micron Technology Inc.
    MT8HTF12864HZ-800M1
    Micron Technology Inc.
    MODULE DDR2 SDRAM 1GB 200SODIMM
    5 Weeks
    Gold
    Socket
    200-SODIMM
    200
    DDR2 SDRAM
    2009
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    70°C
    0°C
    1.8V
    1.9V
    1.7V
    1GB
    800MT/s
    64b
    400MHz
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Micron Technology Inc.
    MT8HTF6464HDZ-667G1
    Micron Technology Inc.
    DRAM Module DDR2 SDRAM 512Mbyte 200SODIMM
    -
    -
    Socket
    200-SODIMM
    200
    DDR2 SDRAM
    2014
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    70°C
    0°C
    1.8V
    1.9V
    1.7V
    512MB
    667MT/s
    64b
    667MHz
    ROHS3 Compliant
    200
    DUAL
    1.8V
    0.6mm
    COMMERCIAL
    333MHz
    64MX64
    3-STATE
    64
    0.056A
    4294967296 bit
    0.45 ns
    COMMON
    无
    无铅
  • 添加型号
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