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首页 全部分类 MTB50P03HDLT4 vs IRLZ44NSTRLPBF

MTB50P03HDLT4备选型号: IRLZ44NSTRLPBF

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  • Reach合规守则
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  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 无铅
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  • 底架
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
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  • 电阻
  • 接通延迟时间
  • Vgs（最大值）
  • 阈值电压
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    MTB50P03HDLT4
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    YES
    3
    50A Tc
    Cut Tape (CT)
    2006
    e0
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    150°C
    -55°C
    雪崩 额定
    -30V
    2.5W
    鸥翼
    240
    not_compliant
    -50A
    30
    3
    R-PSSO-G2
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    125W
    DRAIN
    P-Channel
    SWITCHING
    25m Ω @ 25A, 5V
    2V @ 250μA
    4900pF @ 25V
    100nC @ 5V
    340ns
    30V
    218 ns
    50A
    15V
    0.025Ohm
    -30V
    1250 mJ
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLZ44NSTRLPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    -
    3
    47A Tc
    Tape & Reel (TR)
    1997
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    -
    -
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE, HIGH RELIABILITY
    55V
    -
    鸥翼
    260
    -
    47A
    30
    -
    R-PSSO-G2
    -
    Single
    增强型MOSFET
    110W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    22m Ω @ 25A, 10V
    2V @ 250μA
    1700pF @ 25V
    48nC @ 5V
    84ns
    -
    15 ns
    47A
    16V
    -
    55V
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    表面贴装
    SILICON
    -55°C~175°C TJ
    HEXFET®
    22mOhm
    11 ns
    ±16V
    2V
    55V
    120 ns
    2 V
    4.826mm
    10.668mm
    9.65mm
    无SVHC
    无
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