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首页 全部分类 MTB50P03HDLT4 vs NTB45N06LT4G

MTB50P03HDLT4备选型号: NTB45N06LT4G

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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
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  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 无铅代码
  • 电阻
  • 接通延迟时间
  • Vgs（最大值）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    MTB50P03HDLT4
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    YES
    3
    50A Tc
    Cut Tape (CT)
    2006
    e0
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    150°C
    -55°C
    雪崩 额定
    -30V
    2.5W
    鸥翼
    240
    not_compliant
    -50A
    30
    3
    R-PSSO-G2
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    125W
    DRAIN
    P-Channel
    SWITCHING
    25m Ω @ 25A, 5V
    2V @ 250μA
    4900pF @ 25V
    100nC @ 5V
    340ns
    30V
    218 ns
    50A
    15V
    0.025Ohm
    -30V
    1250 mJ
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTB45N06LT4G
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    YES
    3
    45A Ta
    Tape & Reel (TR)
    2005
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    -
    -
    -
    -
    逻辑电平兼容
    60V
    -
    鸥翼
    -
    -
    45A
    -
    3
    R-PSSO-G2
    -
    Single
    增强型MOSFET
    125W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    28m Ω @ 22.5A, 5V
    2V @ 250μA
    1700pF @ 25V
    32nC @ 5V
    341ns
    -
    158 ns
    45A
    15V
    -
    60V
    240 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    2 Weeks
    Tin
    SILICON
    -55°C~175°C TJ
    yes
    26MOhm
    13 ns
    ±15V
    4.83mm
    10.29mm
    9.65mm
    无
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