ON Semiconductor MTB50P03HDLT4

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

表面安装

YES

引脚数

3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

50A Tc

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

90 ns

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2006

JESD-609代码

e0

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

附加功能

雪崩 额定

电压 - 额定直流

-30V

最大功率耗散

2.5W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

-50A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

125W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

25m Ω @ 25A, 5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4900pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

100nC @ 5V

上升时间

340ns

漏源电压 (Vdss)

30V

下降时间（典型值）

218 ns

连续放电电流(ID)

50A

栅极至源极电压(Vgs)

15V

漏极-源极导通最大电阻

0.025Ohm

漏源击穿电压

-30V

雪崩能量等级（Eas）

1250 mJ

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅