MUN2211JT1备选型号: DTC144GKAT146
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- JESD-609代码
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- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 基本部件号
- 引脚数量
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 电阻基(R1)
- 电阻-发射极基极(R2)
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
- 终止次数
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 附加功能
- HTS代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 最大输出电流
- 工作电源电压
- 极性
- 元素配置
- 功率耗散
- 晶体管应用
- 转换频率
- 最大击穿电压
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 最小直流增益(hFE)
- 连续集电极电流
- 辐射硬化
- TRANS PREBIAS NPN 2.7W SC59表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-350VTape & Reel (TR)1998e3yesObsolete1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)50V230mW100mAMUN22113NPN - Pre-Biased250mV100mA35 @ 5mA 10V500nA250mV @ 300μA, 10mA10 k Ω10 k ΩNon-RoHS Compliant含铅----------------------
- TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3表面贴装-TO-236-350VTape & Reel (TR)2009e1yes不用于新设计1 (Unlimited)EAR99Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)50V200mW100mA-3-50V100mA-----ROHS3 Compliant无铅33150°C-55°CBUILT-IN BIAS RESISTOR8541.21.00.75DUAL鸥翼26010100mA50VNPNSingle200mWSWITCHING250MHz50V5V68100mA无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| RN1401,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin S-Mini | 对比 | |
| RN1402,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin S-Mini | 对比 | |
| DTC144GKAT146 | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | TO-236-3 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 | 对比 |



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